ต้องเป็นคนจำนวนมากที่ไม่ทราบว่าการใช้พื้นผิวเซรามิกทำจากเซรามิกอลูมิเนียมไนไตรด์? หรือที่e พื้นผิวเซรามิกใช้หรือไม่ ให้' s พูดคุยกับคุณเกี่ยวกับพื้นผิวอลูมิเนียมไนไตรด์เซรามิก
aluminumnitride (ALN) เป็นแร่สังเคราะห์ที่ไม่เกิดขึ้นตามธรรมชาติในธรรมชาติ โครงสร้างผลึกของอัลน์เป็นประเภท Hexagonal Wurtzite ซึ่งมีข้อดีของความหนาแน่นต่ำ (3.26 กรัม/cm3) ความแข็งแรงสูงทนความร้อนได้ดี (การสลายตัวที่ประมาณ 3060 ° C) การนำความร้อนสูงและความต้านทานการกัดกร่อน Aln เป็นสารประกอบพันธบัตรโควาเลนต์ที่แข็งแกร่งและกลไกการนำความร้อนคือการสั่นสะเทือนตาข่าย (เช่นการถ่ายเทความร้อนของ Phonon) เนื่องจากจำนวนอะตอมขนาดเล็กของ Al และ N, Aln มีค่าการนำความร้อนสูงและค่าทฤษฎีอาจสูงถึง 319W/M · k อย่างไรก็ตามในผลิตภัณฑ์จริงเนื่องจากโครงสร้างผลึกของ Aln ไม่สามารถกระจายอย่างสม่ำเสมออย่างสมบูรณ์และมีสิ่งสกปรกและข้อบกพร่องจำนวนมากการนำความร้อนเป็นเพียง 170-230W/M · k.
aluminumnitride setramic:
it มีการนำความร้อนที่ดีเยี่ยมค่าคงที่ไดอิเล็กทริกต่ำและการสูญเสียอิเล็กทริกและประสิทธิภาพฉนวนกันความร้อนที่เชื่อถือได้คุณสมบัติเชิงกลที่ยอดเยี่ยม, Non-toxic, ทนต่ออุณหภูมิสูง, ความต้านทานการกัดกร่อนของสารเคมี;
because พื้นผิวอลูมิเนียมไนไตรด์มีความร้อนที่ดีเยี่ยม , เครื่องกล, คุณสมบัติทางไฟฟ้า, การนำความร้อนสูง, ความแข็งแรงสูงและลักษณะที่ยอดเยี่ยมอื่น ๆ ด้วยการพัฒนาอย่างรวดเร็วของอุปกรณ์ microelectronic พื้นผิวอลูมิเนียมไนไตรด์ที่มีการนำความร้อนสูงสามารถใช้กันอย่างแพร่หลาย พื้นผิวเซรามิกอลูมิเนียมไนไตรด์และค่าสัมประสิทธิ์การขยายความร้อนคล้ายกับของซิลิคอนเป็นวัสดุเซรามิกใหม่มันดึงดูดผู้คน' s ให้ความสนใจและความสนใจ ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์สื่อสาร, นำความสว่างสูง, อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พลังงานและอุตสาหกรรมอื่น ๆ
การนำความร้อนของอลูมิเนียมไนไตรด์คริสตัลเดียวประมาณ 250W ในทางทฤษฎีความร้อนของคริสตัลอลูมิเนียมไนไตรด์เดียวสามารถเข้าถึง 320W ที่อุณหภูมิห้องดังนั้นวัสดุไนไตรด์อลูมิเนียมเหมาะมากสำหรับการผลิตพื้นผิวการกระจายความร้อนสูง; พื้นผิวเซรามิกอลูมิเนียมไนไตรด์เป็นวัสดุชนิดใหม่ในการแก้ปัญหาการกระจายความร้อนสูง ความหนาแน่น. เหมาะที่สุดสำหรับพื้นผิวเซรามิกสำหรับวงจรรวมไฮบริดที่มีการรวมสูงและการกระจายความร้อนสูงและพื้นผิวเซรามิกสำหรับการติดตั้งชิปเซมิคอนดักเตอร์